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          消息稱三星 1b nm 移動(dòng)內(nèi)存良率欠佳,影響 Galaxy S25 系列手機(jī)開發(fā)

          • IT之家 9 月 4 日消息,據(jù)韓媒 ZDNET Korea 報(bào)道,三星電子 MX 部門 8 月向 DS 部門表達(dá)了對(duì)面向 Galaxy S25 系列手機(jī)的 1b nm (IT之家注:即 12nm 級(jí)) LPDDR 內(nèi)存樣品供應(yīng)延誤的擔(dān)憂。三星電子于 2023 年 5 月啟動(dòng) 1b nm 工藝 16Gb DDR5 內(nèi)存量產(chǎn),后又在當(dāng)年 9 月發(fā)布 1b nm 32Gb DDR5,并一直在內(nèi)部推進(jìn) 1b nm LPDDR 移動(dòng)內(nèi)存產(chǎn)品的開發(fā)工作。然而該韓媒此前就在今年 6 月
          • 關(guān)鍵字: 三星  內(nèi)存  DDR5  

          TrendForce:內(nèi)存下半年價(jià)格恐摔

          • 根據(jù)TrendForce最新調(diào)查,消費(fèi)型電子需求未如預(yù)期回溫,中國(guó)大陸地區(qū)的智能型手機(jī),出現(xiàn)整機(jī)庫(kù)存過高的情形,筆電也因?yàn)橄M(fèi)者期待AI PC新產(chǎn)品而延遲購(gòu)買,市場(chǎng)持續(xù)萎縮。此一現(xiàn)象,導(dǎo)致以消費(fèi)型產(chǎn)品為主的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)走弱,第二季價(jià)格較第一季下跌超過30%。盡管現(xiàn)貨價(jià)至8月份仍與合約價(jià)脫鉤,但也暗示合約價(jià)可能的未來走向。TrendForce表示,2024年第二季模塊廠在消費(fèi)類NAND Flash零售通路的出貨量,已大幅年減40%,反映出全球消費(fèi)性內(nèi)存市場(chǎng)正遭遇嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。內(nèi)存產(chǎn)業(yè)雖一向受周期因素影響,但202
          • 關(guān)鍵字: TrendForce  內(nèi)存  DRAM  

          SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級(jí)DDR5 DRAM

          • 2024年8月29日,SK海力士宣布,全球首次成功開發(fā)出采用第六代10納米級(jí)(1c)工藝的16Gb(Gigabit,千兆比特)DDR5 DRAM。由此,公司向世界展現(xiàn)了10納米出頭的超微細(xì)化存儲(chǔ)工藝技術(shù)。SK海力士強(qiáng)調(diào):“隨著10納米級(jí)DRAM技術(shù)的世代相傳,微細(xì)工藝的難度也隨之加大,但公司以通過業(yè)界最高性能得到認(rèn)可的第五代(1b)技術(shù)力為基礎(chǔ),提高了設(shè)計(jì)完成度,率先突破了技術(shù)極限。公司將在年內(nèi)完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準(zhǔn)備,從明年開始供應(yīng)產(chǎn)品,引領(lǐng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)發(fā)展。”公司以1b DRAM
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  第六代  10納米級(jí)  DDR5 DRAM  

          第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收季增24.8%,預(yù)期第三季合約價(jià)將上調(diào)

          • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查,受惠主流產(chǎn)品出貨量擴(kuò)張帶動(dòng)多數(shù)業(yè)者營(yíng)收成長(zhǎng),2024年第二季整體DRAM(內(nèi)存)產(chǎn)業(yè)營(yíng)收達(dá)229億美元,季增24.8%。價(jià)格方面,合約價(jià)于第二季維持上漲,第三季因國(guó)際形勢(shì)等因素,預(yù)估Conventional DRAM(一般型內(nèi)存)合約價(jià)漲幅將高于先前預(yù)期。觀察Samsung(三星)、SK hynix(SK海力士)和Micron(美光科技)第二季出貨表現(xiàn),均較前一季有所增加,平均銷售單價(jià)方面,三大廠延續(xù)第一季合約價(jià)上漲情勢(shì),加上臺(tái)灣地區(qū)四月初地震影響,以及HBM
          • 關(guān)鍵字: DRAM  TrendForce  集邦咨詢  

          imec采用High-NA EUV技術(shù) 展示邏輯與DRAM架構(gòu)

          • 比利時(shí)微電子研究中心(imec),在荷蘭費(fèi)爾德霍溫與艾司摩爾(ASML)合作建立的高數(shù)值孔徑極紫外光(high-NA EUV)微影實(shí)驗(yàn)室中,利用數(shù)值孔徑0.55的極紫外光曝光機(jī),發(fā)表了曝光后的圖形化組件結(jié)構(gòu)。在單次曝光后,9納米和5納米(間距19納米)的隨機(jī)邏輯結(jié)構(gòu)、中心間距為30納米的隨機(jī)通孔、間距為22納米的二維特征,以及間距為32納米的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)專用布局全部成功成形,采用的是由imec與其先進(jìn)圖形化研究計(jì)劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線制程。透過這些研究成果,imec證實(shí)該微影技術(shù)的生態(tài)系
          • 關(guān)鍵字: imec  High-NA  EUV  DRAM  

          外媒:三星推出超薄型手機(jī)芯片LPDDR5X DRAM

          • 8月7日消息,隨著移動(dòng)設(shè)備功能的不斷增強(qiáng),對(duì)內(nèi)存性能和容量的要求也日益提高。據(jù)外媒gsmarena報(bào)道,三星電子近日宣布,公司推出了業(yè)界最薄的LPDDR5X DRAM芯片。這款12納米級(jí)別的芯片擁有12GB和16GB兩種封裝選項(xiàng),專為低功耗RAM市場(chǎng)設(shè)計(jì),主要面向具備設(shè)備端AI能力的智能手機(jī)。gsmarena這款新型芯片的厚度僅為0.65毫米,比上一代產(chǎn)品薄了9%。三星估計(jì),這一改進(jìn)將使其散熱性能提高21.2%。gsmarena三星通過優(yōu)化印刷電路板(PCB)和環(huán)氧樹脂封裝技術(shù),將LPDDR5X的厚度
          • 關(guān)鍵字: 三星  手機(jī)芯片  LPDDR5X DRAM  

          最新 PC 游戲中的 DDR5 與 DDR4

          • 隨著游戲要求越來越高,DDR4 和 DDR5 內(nèi)存之間的差距不斷擴(kuò)大。
          • 關(guān)鍵字: DDR4  DDR5  

          HBM排擠效應(yīng) DRAM漲勢(shì)可期

          • 近期在智慧手機(jī)、PC、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器上,用于暫時(shí)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的DRAM價(jià)格漲勢(shì)停歇,買家拉貨不積極,影響DRAM報(bào)價(jià)漲勢(shì)。 業(yè)者期待,SK海力士、三星及美光前三大廠HBM產(chǎn)能增開,對(duì)一般型DRAM產(chǎn)生的排擠效應(yīng),加上產(chǎn)業(yè)旺季來臨,可帶動(dòng)DRAM重啟漲勢(shì)。 據(jù)了解,6月指針性產(chǎn)品DDR4 8GB合約價(jià)約2.10美元、容量較小的4GB合約價(jià)1.62美元左右,表現(xiàn)持平,主要是供需雙方對(duì)價(jià)格談判,呈現(xiàn)拉鋸狀況。而另一方面,三星新一代HBM3E,據(jù)傳有望通過輝達(dá)(NVIDIA)認(rèn)證,輝達(dá)GB200將于2025年放量,其
          • 關(guān)鍵字: HBM  DRAM  美光  

          圓滿收官!紫光國(guó)芯慕尼黑上海電子展2024展現(xiàn)科技創(chuàng)新實(shí)力

          • 圓滿收官!紫光國(guó)芯慕尼黑上海電子展2024展現(xiàn)科技創(chuàng)新實(shí)力2024年7月8日至10日,西安紫光國(guó)芯半導(dǎo)體股份有限公司(簡(jiǎn)稱:紫光國(guó)芯,證券代碼:874451)精彩亮相慕尼黑上海電子展。紫光國(guó)芯聚焦人工智能、高性能計(jì)算、汽車電子、工業(yè)控制、消費(fèi)電子等重點(diǎn)領(lǐng)域,為客戶提供全方面的存儲(chǔ)產(chǎn)品及相關(guān)技術(shù)解決方案。展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)重點(diǎn)展示了DRAM存儲(chǔ)系列產(chǎn)品、SeDRAM?技術(shù)和CXL技術(shù)、新品牌云彣(UniWhen?)和SSD產(chǎn)品系列。128Mb PSRAM,新一代DRAM KGD產(chǎn)品系列DRAM KGD展區(qū)首次展示了紫
          • 關(guān)鍵字: 紫光國(guó)芯  慕尼黑電子展  DRAM  SeDRAM  CXL  

          內(nèi)存制造技術(shù)再創(chuàng)新,大廠新招數(shù)呼之欲出

          • 制造HBM難,制造3D DRAM更難。
          • 關(guān)鍵字: HBM  3D DRAM  

          服務(wù)器支撐下半年需求,預(yù)估DRAM價(jià)格第三季漲幅達(dá)8-13%

          • 根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示,由于通用型服務(wù)器(general server)需求復(fù)蘇,加上DRAM供應(yīng)商HBM生產(chǎn)比重進(jìn)一步拉高,使供應(yīng)商將延續(xù)漲價(jià)態(tài)度,第三季DRAM均價(jià)將持續(xù)上揚(yáng)。DRAM價(jià)格漲幅達(dá)8~13%,其中Conventional DRAM漲幅為5-10%,較第二季漲幅略有收縮。TrendForce集邦咨詢指出,第二季買方補(bǔ)庫(kù)存意愿漸趨保守,供應(yīng)商及買方端的庫(kù)存水平未有顯著變化。觀察第三季,智能手機(jī)及CSPs仍具補(bǔ)庫(kù)存的空間,且將進(jìn)入生產(chǎn)旺季,因此預(yù)計(jì)智能手機(jī)
          • 關(guān)鍵字: 服務(wù)器  DRAM  TrendForce  

          SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破:良品率已達(dá)56.1%

          • 6月25日消息,據(jù)媒體報(bào)道,SK海力士在近期于美國(guó)夏威夷舉行的VLSI 2024峰會(huì)上,重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果,展示了其在該領(lǐng)域的深厚實(shí)力與持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)最新消息,SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著進(jìn)展,并首次詳細(xì)公布了其開發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術(shù)的開發(fā),并已取得重大突破。SK海力士透露,目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達(dá)56.1%,這一數(shù)據(jù)意味著在單個(gè)測(cè)試晶圓上,能夠成功制造出約1000個(gè)3D DRAM單元,其中超過一半(即561個(gè))為良
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  3D DRAM  

          云端CSPs將擴(kuò)大邊緣AI發(fā)展,帶動(dòng)2025年NB DRAM 平均搭載容量增幅至少達(dá)7%

          • 全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢觀察,2024年大型云端CSPs,如Microsoft、Google、Meta、AWS等廠商,將仍為采購(gòu)高階主打訓(xùn)練用AI server的主力客群,以作為L(zhǎng)LM及AI建?;A(chǔ)。待2024年CSPs逐步完成建置一定數(shù)量AI訓(xùn)練用server基礎(chǔ)設(shè)施后,2025年將更積極從云端往邊緣AI拓展,包含發(fā)展較為小型LLM模型,以及建置邊緣AI server,促其企業(yè)客戶在制造、金融、醫(yī)療、商務(wù)等各領(lǐng)域應(yīng)用落地。此外,因AI PC或NB在計(jì)算機(jī)設(shè)備基本架構(gòu)組成與
          • 關(guān)鍵字: 云端  CSPs  邊緣AI  DRAM  TrendForce  

          HBM供應(yīng)吃緊催生DRAM漲價(jià) 美光股價(jià)飆漲

          • 內(nèi)存大廠美光預(yù)計(jì)6月26日公布季報(bào),自美光的高帶寬內(nèi)存(HBM)開始供貨給輝達(dá)后,已化身為AI明星股,年初至今,美光股價(jià)大漲近七成,市值大增636.26億美元,至1,545.22億美元。 市場(chǎng)分析師預(yù)期,美光經(jīng)營(yíng)層將大談需求改善、行業(yè)供應(yīng)緊張、價(jià)格進(jìn)一步上揚(yáng),以及他們供應(yīng)給輝達(dá)和其他AI芯片廠商的HBM,下一世代的發(fā)展,提出對(duì)后市正向的看法。由于AI應(yīng)用的需求,人們對(duì)DRAM、HBM的興趣與日俱增,且內(nèi)存市場(chǎng)通常存在「FOMO」(Fear of missing out)現(xiàn)象,意思是「害怕錯(cuò)失機(jī)會(huì)」,在美光
          • 關(guān)鍵字: HBM  DRAM  美光  

          美光后里廠火災(zāi) 公司聲明營(yíng)運(yùn)未受任何影響

          • 中國(guó)臺(tái)灣美光內(nèi)存后里廠20日下午5點(diǎn)34分發(fā)生火警,火勢(shì)快速撲滅,無人傷亡,美光昨深夜發(fā)出聲明指出,臺(tái)中廠火警廠區(qū)營(yíng)運(yùn)未受任何影響。 臺(tái)中市消防局昨日傍晚5時(shí)34分獲報(bào),中國(guó)臺(tái)灣美光位在后里區(qū)三豐路的廠房發(fā)生火災(zāi),消防局抵達(dá)時(shí)廠區(qū)人員已將火勢(shì)撲滅,無人受傷,原因有待厘清。根據(jù)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)導(dǎo),美光針對(duì)臺(tái)中廠火警一事發(fā)出聲明,經(jīng)查證所有員工與承包商安全無虞,且廠區(qū)營(yíng)運(yùn)未受任何影響。美光是國(guó)際三大DRAM廠商,市占約19.2%,與前兩大三星及SK海力士合計(jì)市占達(dá)96%。美光高達(dá)65%的DRAM產(chǎn)品在中國(guó)臺(tái)灣生產(chǎn),
          • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  
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          ddr5 dram介紹

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